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2SD1140 (NPN-Bipolartransistor)

2SD1140 (NPN-Bipolartransistor) Toshiba

2SD1140.pdf
Produktcode: 35536
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Hersteller: Toshiba
Gehäuse: TO-92L
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 30 V
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 A
Stromverstärkung h21: 4000
Bemerkung: Darlington
Montage: THT
auf Bestellung: 16 St.
  • 16 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SF28
Produktcode: 128105
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SF28
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-15
Sperrspannung Vrr, V: 600 В
Mittlerer Strom Iav, A: 2 А
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 35 ns
Montage: THT
auf Bestellung: 2535 St.
  • 2535 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC2383 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 35535
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2SC2383.pdf
2SC2383 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 500 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 18 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 38 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,75 A
Stromverstärkung h21: 200
Montage: THT
verfügbar: 60 St.
  • 60 St. - stock Köln
auf Bestellung: 134 St.
  • 134 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1N4732A
Produktcode: 33737
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1N4732A
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Stabilisierungsspannung Vz, V: 4,7 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 53 mA
Verlustleistung Pd, W: 1 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: -0,03...+0,04 %/°C
auf Bestellung: 632 St.
  • 632 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TIP122 (TO-220, STM) NPN-Bipolartransistor
Produktcode: 30186
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TIP120.pdf
TIP122 (TO-220, STM) NPN-Bipolartransistor
Hersteller: STM
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 V
Kollektorstrom Ic, A: 5 A
Stromverstärkung h21: 1000
Bemerkung: Darlington
Montage: THT
verfügbar: 40 St.
  • 40 St. - stock Köln
auf Bestellung: 619 St.
  • 619 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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2SC3356 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 27278
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2SC3356.pdf
2SC3356 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: NEC
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 7 GHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 12 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 20 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 300
Montage: SMD
verfügbar: 120 St.
  • 120 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1345 St.
  • 1345 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.18 EUR
10+0.15 EUR
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