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2SD1618T-TD-E

2SD1618T-TD-E ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details 2SD1618T-TD-E ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 15V 0.7A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PCP, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Power - Max: 500 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SD1618T-TD-E 2SD1618T-TD-E ON Semiconductor 2sd1618.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SD1618T-TD-E ONSEMI ONSMS36408-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1618T-TD-E - EACH
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