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2SD1620-TD-E

2SD1620-TD-E ON Semiconductor

2sd1620-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 10V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details 2SD1620-TD-E ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 10V 3A PCP, Part Status: Active, Supplier Device Package: PCP, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 3A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 60mA, 3A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SD1620-TD-E 2SD1620-TD-E onsemi en1719-d.html Description: TRANS NPN 10V 3A PCP
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 3A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 60mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
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2SD1620-TD-E 2SD1620-TD-E onsemi en1719-d.html Description: TRANS NPN 10V 3A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 3A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 60mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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2SD1620-TD-E ONSEMI ONSMS36736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SD1620-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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auf Bestellung 2700 Stücke:
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2SD1620-TD-E onsemi 2SD1620-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 10V
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2SD1620-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 10V 3A PCP
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 3A, 2V
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Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Description: TRANS NPN 10V 3A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 3A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 60mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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2SD1620-TD-E ONSMS36736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1620-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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