Produkte > ONSEMI > 2SD1624S-TD-H
2SD1624S-TD-H

2SD1624S-TD-H onsemi

en2019-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1221+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1221
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2SD1624S-TD-H onsemi

Description: TRANS NPN 50V 3A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: PCP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW.

Weitere Produktangebote 2SD1624S-TD-H nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.02 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
2SD1624S-TD-H 2SD1624S-TD-H Hersteller : onsemi EN2019_D-1803572.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 50V
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.02 EUR
10+1.01 EUR
100+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.31 EUR
10000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1624S-TD-H Hersteller : ON Semiconductor en2019-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1270+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1270
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1624S-TD-H Hersteller : ONSEMI EN2019-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1624S-TD-H - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1624S-TD-H Hersteller : ON Semiconductor 1745en2019-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1624S-TD-H 2SD1624S-TD-H Hersteller : onsemi en2019-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1624S-TD-H 2SD1624S-TD-H Hersteller : onsemi en2019-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH