2SD1801T-TL-E onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 380800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1211+ | 0.42 EUR |
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Technische Details 2SD1801T-TL-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SD1801T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote 2SD1801T-TL-E nach Preis ab 0.3 EUR bis 0.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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2SD1801T-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 380100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SD1801T-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 12600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SD1801T-TL-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1801T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 12600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SD1801T-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V |
auf Bestellung 12600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SD1801T-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SD1801T-TL-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 2A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TP-FA Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
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