2SD1816T-TL-E onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 17 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 11+ | 2.57 EUR |
| 13+ | 2.11 EUR |
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Technische Details 2SD1816T-TL-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SD1816T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote 2SD1816T-TL-E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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2SD1816T-TL-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1816T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 671 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SD1816T-TL-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1816T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 671 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SD1816T-TL-E | Hersteller : SANYO |
04+ TO-252 |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SD1816T-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SD1816T-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SD1816T-TL-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 4A TPFA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
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| 2SD1816T-TL-E | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER |
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