Produkte > ONSEMI > 2SD1816T-TL-H
2SD1816T-TL-H

2SD1816T-TL-H onsemi

2sb1216_2sd1816-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
700+1.63 EUR
1400+ 1.33 EUR
2100+ 1.25 EUR
4900+ 1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 700
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2SD1816T-TL-H onsemi

Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.

Weitere Produktangebote 2SD1816T-TL-H nach Preis ab 1.17 EUR bis 3.02 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
2SD1816T-TL-H 2SD1816T-TL-H Hersteller : onsemi 2SB1216_2SD1816_D-2309768.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
auf Bestellung 1099 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
23+2.3 EUR
27+ 2 EUR
100+ 1.72 EUR
700+ 1.42 EUR
1400+ 1.31 EUR
2100+ 1.23 EUR
4900+ 1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 23
2SD1816T-TL-H 2SD1816T-TL-H Hersteller : onsemi 2sb1216_2sd1816-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 11928 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+3.02 EUR
11+ 2.48 EUR
100+ 1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 9
2SD1816T-TL-H 2SD1816T-TL-H Hersteller : ON Semiconductor 11710336676814342sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2SD1816T-TL-H 2SD1816T-TL-H Hersteller : ON Semiconductor 11710336676814342sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2SD1816T-TL-H 2SD1816T-TL-H Hersteller : ON Semiconductor 11710336676814342sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar