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2SD1963T100R ROHM Semiconductor

rohm_semiconductor_rohms11109-1-1742357.pdf Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 3A
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Technische Details 2SD1963T100R ROHM Semiconductor

Description: TRANS NPN 20V 3A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 150mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: MPT3, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 2 W.

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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
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