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2SD2537T100V

2SD2537T100V Rohm Semiconductor

2sd2537t100v-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 1.2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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Technische Details 2SD2537T100V Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 25V 1.2A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 2 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SD2537T100V 2SD2537T100V Rohm Semiconductor 2sd2537t100v-e.pdf Trans GP BJT NPN 25V 1.2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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2SD2537T100V 2SD2537T100V Rohm Semiconductor 2sd2537t100v-e.pdf Trans GP BJT NPN 25V 1.2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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2SD2537T100V 2SD2537T100V ROHM Semiconductor datasheet?p=2SD2537&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Bipolar Transistors - BJT NPN 25V 1.2A
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 2 W
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2SD2537 T100V ROHM 04+ SOT-89
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Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
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Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
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