Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SD2537T100V
2SD2537T100V

2SD2537T100V Rohm Semiconductor

2sd2537t100v-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 1.2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
264+0.59 EUR
275+ 0.55 EUR
500+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2SD2537T100V Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 25V 1.2A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 2 W.

Weitere Produktangebote 2SD2537T100V nach Preis ab 0.44 EUR bis 1.98 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
2SD2537T100V 2SD2537T100V Hersteller : Rohm Semiconductor 2sd2537t100v-e.pdf Description: TRANS NPN 25V 1.2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+1.34 EUR
100+ 1 EUR
500+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 14
2SD2537T100V 2SD2537T100V Hersteller : Rohm Semiconductor 2sd2537t100v-e.pdf Trans GP BJT NPN 25V 1.2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
98+1.6 EUR
201+ 0.75 EUR
220+ 0.63 EUR
500+ 0.5 EUR
1000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 98
2SD2537T100V 2SD2537T100V Hersteller : ROHM Semiconductor ROHM_S_A0002134500_1-2561609.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 25V 1.2A
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
27+1.98 EUR
31+ 1.71 EUR
100+ 1.19 EUR
500+ 0.99 EUR
1000+ 0.75 EUR
2000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 27
2SD2537 T100V Hersteller : ROHM 04+ SOT-89
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SD2537T100V Hersteller : ROHM 2sd2537t100v-e.pdf 05+ SOT-89
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SD2537T100V Hersteller : ROHM 2sd2537t100v-e.pdf 09+
auf Bestellung 4602 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SD2537T100V Hersteller : ROHM 2sd2537t100v-e.pdf SOT89
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SD2537T100V 2SD2537T100V Hersteller : Rohm Semiconductor 2sd2537t100v-e.pdf Description: TRANS NPN 25V 1.2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar