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2SD2656T106

2SD2656T106 Rohm Semiconductor

datasheet?p=2SD2656&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 1A UMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details 2SD2656T106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SD2656T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 400MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SD2656T106 2SD2656T106 Rohm Semiconductor 2sd2656t106-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3590 Stücke:
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468+0.37 EUR
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2000+0.24 EUR
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2SD2656T106 2SD2656T106 Rohm Semiconductor 2sd2656t106-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 956 Stücke:
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2SD2656T106 2SD2656T106 Rohm Semiconductor 2sd2656t106-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 200mW 3-Pin UMT T/R
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2SD2656T106 2SD2656T106 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SD2656&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 1A
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10+0.55 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
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2SD2656T106 2SD2656T106 ROHM 2sd2656t106-e.pdf Description: ROHM - 2SD2656T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
258+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
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Bauform - Transistor: SOT-323
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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2SD2656T106 2SD2656T106 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SD2656&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 1A UMT3
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Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT3
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Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
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Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
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Trans GP BJT NPN 30V 1A 200mW 3-Pin UMT T/R
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2SD2656T106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Trans GP BJT NPN 30V 1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 1A
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2SD2656T106
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SD2656T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Description: ROHM - 2SD2656T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 1A UMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
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Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
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Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+1 EUR
34+0.62 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
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