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Technische Details 2SK1835-E Renesas Electronics
Description: RENESAS - 2SK1835-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 4.6 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote 2SK1835-E nach Preis ab 14.42 EUR bis 26.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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2SK1835-E | Hersteller : Renesas |
 Trans MOSFET N-CH Si 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK1835-E | Hersteller : Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 15V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V |
auf Bestellung 3920 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK1835-E | Hersteller : RENESAS |
Description: RENESAS - 2SK1835-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 4.6 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SK1835-E | Hersteller : Renesas |
2SK1835 HIT2SK1835 Anzahl je Verpackung: 30 Stücke |
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