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2SK1835-E

2sk1835-datasheet?r=1336076
Produktcode: 131706
Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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2SK1835-E 2SK1835-E Hersteller : Renesas 48112183304017120rej03g0978_2sk1835ds.pdf Trans MOSFET N-CH Si 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
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2SK1835-E 2SK1835-E Hersteller : Renesas Electronics 2sk1835-datasheet?r=1336076 MOSFETs NCH POWER MOSFET 1500V 4A 7000MOHM TO-3P
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2SK1835-E 2SK1835-E Hersteller : Renesas Electronics Corporation 2sk1835-datasheet?r=1336076 Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
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2SK1835-E 2SK1835-E Hersteller : RENESAS RNCC-S-A0001435629-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: RENESAS - 2SK1835-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 7 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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2SK1835-E Hersteller : RENESAS 2sk1835-datasheet?r=1336076 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 60
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2SK1835-E Hersteller : Renesas 2sk1835-datasheet?r=1336076 2SK1835 HIT2SK1835
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
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