| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.35 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Mindestmenge:
3000 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2SK2009(TE85L,F) Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 200mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 200mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-236MOD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.
Weitere Produktangebote 2SK2009(TE85L,F) nach Preis ab 0.71 EUR bis 2.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SK2009(TE85L,F) | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R |
auf Bestellung 216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
|
|
2SK2009(TE85L,F) | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R |
auf Bestellung 216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
 |
2SK2009(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm |
auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
|
|
2SK2009(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 200mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-236MOD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm |
auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
|
|
2SK2009(TE85L,F) | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R |
auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 217 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| 2SK2009(TE85L,F) | TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 200mA; 200mW Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.2W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 210 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SK2009(TE85L,F) |
|
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 146+ | 1.21 EUR |
| 2SK2009(TE85L,F) |
|
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 146+ | 1.21 EUR |
| 2SK2009(TE85L,F) |
|
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 121+ | 2.07 EUR |
| 219+ | 1.06 EUR |
| 298+ | 0.71 EUR |
| 2SK2009(TE85L,F) |
|
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 121+ | 2.07 EUR |
| 219+ | 1.06 EUR |
| 298+ | 0.71 EUR |
| 2SK2009(TE85L,F) |
|
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2SK2009(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 200mA; 200mW
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 200mA; 200mW
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)