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2SK208-O(TE85L,F)

2SK208-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600 µA @ 10 V
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Technische Details 2SK208-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - 2SK208-O(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA, Durchbruchspannung Vbr: 50V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-236MOD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: MOSFET, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) Toshiba 32dst_2sk208-tde_en_6913.pdf Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2467 Stücke:
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2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) TOSHIBA 2SK208.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 1.4mA; 0.1W; SC59; Igt: 10mA
Gate current: 10mA
Power dissipation: 0.1W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.4mA
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -50V
Kind of package: reel; tape
Case: SC59
Mounting: SMD
auf Bestellung 10678 Stücke:
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2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) Toshiba 8C5A936BD63E1FAD502669F75FC2A7804D1B5991CC00884BF590628B093C9FEB.pdf JFETs N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
auf Bestellung 3386 Stücke:
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10+0.73 EUR
100+0.46 EUR
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2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208 Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600 µA @ 10 V
auf Bestellung 32623 Stücke:
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18+1.21 EUR
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100+0.48 EUR
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Hersteller: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R
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2SK208-O(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 1.4mA; 0.1W; SC59; Igt: 10mA
Gate current: 10mA
Power dissipation: 0.1W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.4mA
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -50V
Kind of package: reel; tape
Case: SC59
Mounting: SMD
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JFETs N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
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2SK208-O(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600 µA @ 10 V
auf Bestellung 32623 Stücke:
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18+1.21 EUR
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