
2SK208-O(TE85L,F) TOSHIBA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 1.4mA; 0.1W; SC59; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -50V
Drain current: 1.4mA
Gate current: 10mA
Power dissipation: 0.1W
Kind of package: reel; tape
Case: SC59
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10966 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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107+ | 0.67 EUR |
126+ | 0.57 EUR |
143+ | 0.5 EUR |
291+ | 0.25 EUR |
307+ | 0.23 EUR |
500+ | 0.22 EUR |
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Technische Details 2SK208-O(TE85L,F) TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK208-O(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA, Durchbruchspannung Vbr: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-236MOD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: MOSFET, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote 2SK208-O(TE85L,F) nach Preis ab 0.19 EUR bis 2.75 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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2SK208-O(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 1.4mA; 0.1W; SC59; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -50V Drain current: 1.4mA Gate current: 10mA Power dissipation: 0.1W Kind of package: reel; tape Case: SC59 |
auf Bestellung 10966 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK208-O(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
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auf Bestellung 17946 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK208-O(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600 µA @ 10 V |
auf Bestellung 3195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK208-O(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V SVHC: To Be Advised |
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2SK208-O(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA Durchbruchspannung Vbr: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236MOD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 6810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK208-O(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
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auf Bestellung 106 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK208-O(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
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auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK208-O(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
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2SK208-O(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600 µA @ 10 V |
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