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Technische Details 2SK208-R(TE85L,F) Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SK208-R(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA, Durchbruchspannung Vbr: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-236MOD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: MOSFET, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote 2SK208-R(TE85L,F) nach Preis ab 0.15 EUR bis 1.25 EUR
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2SK208-R(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
 Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
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2SK208-R(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
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2SK208-R(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300 µA @ 10 V |
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2SK208-R(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
auf Bestellung 5613 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK208-R(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
JFET Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA |
auf Bestellung 2426 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2SK208-R(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300 µA @ 10 V |
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2SK208-R(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK208-R(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V SVHC: To Be Advised |
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2SK208-R(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK208-R(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA Durchbruchspannung Vbr: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236MOD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V SVHC: To Be Advised |
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2SK208-R(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
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