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2SK2611 (TO-247)

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Produktcode: 176317
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Gehäuse: TO-247
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2SK2611 2SK2611
Produktcode: 34443
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Toshiba 2sk2611_datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3P
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Idd, A: 9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2040/58
Montage: THT
erwartet: 10 St.
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auf Bestellung: 19 St.
  • 19 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK2611
Produktcode: 34443
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2sk2611_datasheet.pdf
2SK2611
Hersteller: Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3P
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Idd, A: 9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2040/58
Montage: THT
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