2SK2611 (TO-247)
Produktcode: 176317
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Gehäuse: TO-247
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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2SK2611 Produktcode: 34443
2
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Toshiba |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-3P Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V Drain-Strom Idd, A: 9 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2040/58 Montage: THT |
auf Bestellung: 39 St.
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| 2SK2611 | Toshiba |
Транзистори |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
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2SK2611 | Toshiba | MOSFETs TO3PN PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04), |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SK2611 Produktcode: 34443
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Hersteller: Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3P
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Idd, A: 9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2040/58
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3P
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Idd, A: 9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2040/58
Montage: THT
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.77 EUR |
| 10+ | 1.63 EUR |
| 2SK2611 |
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Hersteller: Toshiba
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| 2SK2611 |
Hersteller: Toshiba
MOSFETs TO3PN PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04),
MOSFETs TO3PN PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04),
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