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2SK2864-TL-E

2SK2864-TL-E ONSEMI


enn6610d.pdf Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK2864-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20 A, 0.09 ohm, ZP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: ZP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Technische Details 2SK2864-TL-E ONSEMI

Description: ONSEMI - 2SK2864-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20 A, 0.09 ohm, ZP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: ZP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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2SK2864-TL-E Hersteller : onsemi enn6610d.pdf Description: NCH 10V DRIVE SERIES
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