2SK3065T100 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.40 EUR |
| 2000+ | 0.39 EUR |
| 3000+ | 0.38 EUR |
| 5000+ | 0.37 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2SK3065T100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2SK3065T100 nach Preis ab 0.43 EUR bis 1.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SK3065T100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK3065T100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V |
auf Bestellung 22231 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
2SK3065T100 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs N-CH 60V 2A |
auf Bestellung 65627 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
2SK3065T100 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
2SK3065T100 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4261 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| 2SK3065T100 | Hersteller : ROHM |
|
auf Bestellung 5800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
| 2SK3065T100 | Hersteller : ROHM |
05+ SOT89 |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
| 2SK3065T100 | Hersteller : ROHM |
10+ROHS SOT-89 |
auf Bestellung 99000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
| 2SK3065 T100 | Hersteller : ROHM | SOT89 |
auf Bestellung 604 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
| 2SK3065T100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
| 2SK3065T100 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 0.5W; SC62; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Power dissipation: 0.5W Case: SC62 Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 8A Version: ESD Mounting: SMD On-state resistance: 0.45Ω Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
| 2SK3065T100 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 0.5W; SC62; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Power dissipation: 0.5W Case: SC62 Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 8A Version: ESD Mounting: SMD On-state resistance: 0.45Ω |
Produkt ist nicht verfügbar |