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2SK3065T100

2SK3065T100 Rohm Semiconductor

2sk3065.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.62 EUR
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Technische Details 2SK3065T100 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.32 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote 2SK3065T100 nach Preis ab 0.68 EUR bis 2.55 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SK3065T100 2SK3065T100 Rohm Semiconductor 2sk3065.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.27 EUR
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2SK3065T100 2SK3065T100 Rohm Semiconductor 2sk3065.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
auf Bestellung 7274 Stücke:
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10+2.15 EUR
16+1.34 EUR
100+0.88 EUR
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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2SK3065T100 2SK3065T100 ROHM Semiconductor rohm semiconductor_rohms30086-1.pdf MOSFETs N-CH 60V 2A
auf Bestellung 18 Stücke:
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2+2.18 EUR
10+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2SK3065T100 2SK3065T100 ROHM ROHMS30086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.32 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 396 Stücke:
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99+2.55 EUR
159+1.46 EUR
189+1.14 EUR
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2SK3065T100 2SK3065T100 ROHM ROHMS30086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.32 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 2A
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
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2SK3065T100 ROHM 2sk3065.pdf 10+ROHS SOT-89
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3065 T100 ROHM SOT89
auf Bestellung 604 Stücke:
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Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
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MOSFETs N-CH 60V 2A
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2SK3065T100 ROHMS30086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3065T100
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.32 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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2SK3065T100
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.32 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: SOT-89
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Hersteller: ROHM
10+ROHS SOT-89
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SOT89
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