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Technische Details 2SK3075(TE12L,Q) Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 520MHz, Betriebsfrequenz, min.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: SMD, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote 2SK3075(TE12L,Q)
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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2SK3075(TE12L,Q) | Hersteller : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMDtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 520MHz Betriebsfrequenz, min.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: SMD Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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2SK3075(TE12L,Q) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 520MHz Betriebsfrequenz, min.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: SMD Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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2SK3075 Produktcode: 30852
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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| 2SK3075 | Hersteller : Toshiba |
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2SK3075(TE12L,Q) | Hersteller : Toshiba |
Trans RF MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin PW-X T/R |
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| 2SK3075(TE12L,Q) | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 30V; 5A; 20W; TO271AA; Pout: 7.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 20W Case: TO271AA Gate-source voltage: ±25V Kind of package: reel Frequency: 520MHz Kind of channel: depletion Output power: 7.5W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 11.7dB Efficiency: 50% Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2SK3075(TE12L,Q) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSF RF N CH 30V 5A PW-X |
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| 2SK3075(TE12L,Q) | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 30V; 5A; 20W; TO271AA; Pout: 7.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 20W Case: TO271AA Gate-source voltage: ±25V Kind of package: reel Frequency: 520MHz Kind of channel: depletion Output power: 7.5W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 11.7dB Efficiency: 50% |
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