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2SK3075(TE12L,Q)

2SK3075(TE12L,Q) Toshiba


2SK3075_datasheet_en_20140301-3107003.pdf Hersteller: Toshiba
RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS
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Technische Details 2SK3075(TE12L,Q) Toshiba

Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 520MHz, Betriebsfrequenz, min.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: SMD, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

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2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075(TE12L,Q) Hersteller : TOSHIBA docget.jsp?did=17990&prodName=2SK3075 Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075(TE12L,Q) Hersteller : TOSHIBA docget.jsp?did=17990&prodName=2SK3075 Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
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Produktcode: 30852
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2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075(TE12L,Q) Hersteller : Toshiba 2216docget.jsptypedatasheetlangenpid2sk3075.jsptypedatasheetlangenpid.pdf Trans RF MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin PW-X T/R
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2SK3075(TE12L,Q) Hersteller : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588F9727223D56469&compId=2SK3075(TE12L%2CQ).pdf?ci_sign=a0f40415e59ad8b6b85e1014e2657710e545cca2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 30V; 5A; 20W; TO271AA; Pout: 7.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 20W
Case: TO271AA
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel
Frequency: 520MHz
Kind of channel: depletion
Output power: 7.5W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 11.7dB
Efficiency: 50%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075(TE12L,Q) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17990&prodName=2SK3075 Description: MOSF RF N CH 30V 5A PW-X
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2SK3075(TE12L,Q) Hersteller : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588F9727223D56469&compId=2SK3075(TE12L%2CQ).pdf?ci_sign=a0f40415e59ad8b6b85e1014e2657710e545cca2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 30V; 5A; 20W; TO271AA; Pout: 7.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 20W
Case: TO271AA
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel
Frequency: 520MHz
Kind of channel: depletion
Output power: 7.5W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 11.7dB
Efficiency: 50%
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