2SK3491-TL-E ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details 2SK3491-TL-E ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2SK3491-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote 2SK3491-TL-E nach Preis ab 0.32 EUR bis 0.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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2SK3491-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 1A 3-Pin(2+Tab) TP-FA |
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2SK3491-TL-E | Hersteller : onsemi |
Description: NCH 4V DRIVE SERIES Packaging: Bulk Part Status: Active |
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2SK3491-TL-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SK3491-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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