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2SK3491-TL-E

2SK3491-TL-E ON Semiconductor


en6959a_d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 600V 1A 3-Pin(2+Tab) TP-FA
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Technische Details 2SK3491-TL-E ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2SK3491-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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2SK3491-TL-E 2SK3491-TL-E Hersteller : ON Semiconductor en6959a_d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 1A 3-Pin(2+Tab) TP-FA
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2SK3491-TL-E 2SK3491-TL-E Hersteller : onsemi en6959ad.pdf Description: NCH 4V DRIVE SERIES
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2SK3491-TL-E 2SK3491-TL-E Hersteller : ONSEMI en6959ad.pdf Description: ONSEMI - 2SK3491-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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