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Technische Details 2SK3565(STA4,Q,M) Toshiba
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 45W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 5A, Power dissipation: 45W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2Ω, Mounting: THT, Gate charge: 28nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote 2SK3565(STA4,Q,M) nach Preis ab 1.47 EUR bis 3.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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2SK3565(STA4,Q,M) | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
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2SK3565(STA4,Q,M) | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 28nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2SK3565(STA4,Q,M) | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 28nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK3565(STA4,Q,M) | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
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2SK3565(STA4,Q,M | Hersteller : Toshiba |
MOSFETs N-Ch 900V 5A Rdson 2.5 Ohm |
Produkt ist nicht verfügbar |