Produkte > TOSHIBA > 2SK3566(STA4,Q,M)
2SK3566(STA4,Q,M)

2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba


docget.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
750+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 750
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba

Description: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote 2SK3566(STA4,Q,M) nach Preis ab 1.00 EUR bis 3.31 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
750+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 750
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
112+1.32 EUR
200+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Hersteller : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A0ED203AF45BA143&compId=2SK3566.pdf?ci_sign=798a1ce8e0f4869f0c6dbedddf69da62341556b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.50 EUR
53+1.37 EUR
59+1.22 EUR
67+1.07 EUR
71+1.02 EUR
250+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Hersteller : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A0ED203AF45BA143&compId=2SK3566.pdf?ci_sign=798a1ce8e0f4869f0c6dbedddf69da62341556b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.50 EUR
53+1.37 EUR
59+1.22 EUR
67+1.07 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba 2SK3566_datasheet_en_20131101-1369486.pdf MOSFETs N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.97 EUR
10+2.36 EUR
25+1.74 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.06 EUR
5000+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.31 EUR
50+1.61 EUR
100+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba 72sk3566_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH