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2SK3816-DL-1E

2SK3816-DL-1E onsemi

2SK3816.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO263-2
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263-2
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
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Technische Details 2SK3816-DL-1E onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO263-2, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-263-2, Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SK3816-DL-1E 2SK3816-DL-1E ON Semiconductor enn8054-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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2SK3816-DL-1E 2SK3816-DL-1E ON Semiconductor enn8054-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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2SK3816-DL-1E ONSEMI ONSMS35127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SK3816-DL-1E - 2SK3816-DL-1E, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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