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2SK879-GR(TE85L,F)

2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

2SK879_datasheet_en_20140301.pdf?did=19697&prodName=2SK879 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
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Technische Details 2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: JFET N-CH USM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 125°C (TJ), FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V, Supplier Device Package: USM, Part Status: Active, Power - Max: 100 mW, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V.

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2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-GR(TE85L,F) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage 2SK879_datasheet_en_20140301.pdf?did=19697&prodName=2SK879 Description: JFET N-CH USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
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2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-GR(TE85L,F) Hersteller : Toshiba 2SK879_datasheet_en_20140301-2907612.pdf JFET Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
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2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-GR(TE85L,F) Hersteller : Toshiba 24docget.jsppid2sk879langentypedatasheet.jsppid2sk879langentypedata.pdf Trans JFET N-CH 6.5mA Si 3-Pin USM T/R
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