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2SK879-GR(TE85L,F)

2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

2SK879_datasheet_en_20140301.pdf?did=19697&prodName=2SK879
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Power - Max: 100 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.26 EUR
6000+0.25 EUR
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Technische Details 2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - 2SK879-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK879_datasheet_en_20140301.pdf?did=19697&prodName=2SK879 Description: JFET N-CH USM
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Power - Max: 100 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 10700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
32+0.65 EUR
100+0.45 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba EA0116FA281EEE734004EC8EC510FA6C60983089E47B7F290042883296BBDC1A.pdf JFETs Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
auf Bestellung 10315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-GR(TE85L,F) TOSHIBA 4249064.pdf Description: TOSHIBA - 2SK879-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879_datasheet_en_20140301.pdf?did=19697&prodName=2SK879
2SK879-GR(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH USM
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Power - Max: 100 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 10700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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100+0.45 EUR
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2SK879-GR(TE85L,F) EA0116FA281EEE734004EC8EC510FA6C60983089E47B7F290042883296BBDC1A.pdf
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Hersteller: Toshiba
JFETs Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
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2SK879-GR(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK879-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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2SK879-GR(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK879-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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euEccn: NLR
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -
isCanonical: N
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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