
2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: JFET N-CH 0.1W USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.22 EUR |
6000+ | 0.21 EUR |
9000+ | 0.19 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 2SK879-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, -50 V, 6.5 mA, -5 V, SC-70, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -50V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote 2SK879-Y(TE85L,F) nach Preis ab 0.2 EUR bis 0.9 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SK879-Y(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Supplier Device Package: USM Part Status: Active Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V |
auf Bestellung 23488 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SK879-Y(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 1039 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SK879-Y(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 8995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
![]() |
2SK879-Y(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 8995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
![]() |
2SK879-Y(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |