2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 0.1W USM
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Power - Max: 100 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.26 EUR |
| 6000+ | 0.25 EUR |
| 9000+ | 0.23 EUR |
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Technische Details 2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 2SK879-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, -50 V, 6.5 mA, -5 V, SC-70, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -50V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V.
Weitere Produktangebote 2SK879-Y(TE85L,F) nach Preis ab 0.24 EUR bis 1.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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2SK879-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: JFET N-CH 0.1W USMCurrent - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA Power - Max: 100 mW Part Status: Active Supplier Device Package: USM Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V FET Type: N-Channel Operating Temperature: 125°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 23488 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK879-Y(TE85L,F) | Toshiba |
JFETs Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA |
auf Bestellung 1039 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK879-Y(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK879-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, -50 V, 6.5 mA, -5 V, SC-70, 3 Pins, 125 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V |
auf Bestellung 5966 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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2SK879-Y(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK879-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, -50 V, 6.5 mA, -5 V, SC-70, 3 Pins, 125 °CtariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 5966 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SK879-Y(TE85L,F) |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 0.1W USM
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Power - Max: 100 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: JFET N-CH 0.1W USM
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Power - Max: 100 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 23488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 0.75 EUR |
| 32+ | 0.65 EUR |
| 100+ | 0.45 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| 2SK879-Y(TE85L,F) |
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Hersteller: Toshiba
JFETs Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
JFETs Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
auf Bestellung 1039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 1.07 EUR |
| 10+ | 0.7 EUR |
| 100+ | 0.46 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
| 3000+ | 0.24 EUR |
| 2SK879-Y(TE85L,F) |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK879-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, -50 V, 6.5 mA, -5 V, SC-70, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V
Description: TOSHIBA - 2SK879-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, -50 V, 6.5 mA, -5 V, SC-70, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V
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| 2SK879-Y(TE85L,F) |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK879-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, -50 V, 6.5 mA, -5 V, SC-70, 3 Pins, 125 °C
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Description: TOSHIBA - 2SK879-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, -50 V, 6.5 mA, -5 V, SC-70, 3 Pins, 125 °C
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auf Bestellung 5966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)



