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2ST501T

2ST501T STMicroelectronics

2ST501T-1204100.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Darlington Transistors PWR BIP/S.SIGNAL
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Technische Details 2ST501T STMicroelectronics

Description: TRANS NPN DARL 350V 4A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V, Supplier Device Package: TO-220, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 100 W.

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2ST501T 2ST501T Hersteller : STMicroelectronics 2ST501T.pdf Description: TRANS NPN DARL 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 100 W
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2ST501T Hersteller : STMicroelectronics 2st501t.pdf Trans Darlington NPN 350V 4A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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