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2V7002KT1G

2V7002KT1G ON Semiconductor

2n7002k-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details 2V7002KT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2V7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 420mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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2V7002KT1G 2V7002KT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2V7002KT1G 2V7002KT1G Hersteller : onsemi 2n7002k-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
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2V7002KT1G 2V7002KT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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963+0.15 EUR
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1825+0.07 EUR
3226+0.04 EUR
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2V7002KT1G 2V7002KT1G Hersteller : ONSEMI 2n7002k-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 2Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
459+0.16 EUR
665+0.11 EUR
762+0.09 EUR
1244+0.06 EUR
1316+0.05 EUR
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2V7002KT1G 2V7002KT1G Hersteller : ONSEMI 2n7002k-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 2Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
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2V7002KT1G 2V7002KT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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587+0.24 EUR
695+0.20 EUR
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1320+0.10 EUR
1332+0.09 EUR
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2V7002KT1G 2V7002KT1G Hersteller : onsemi 2n7002k-d.pdf MOSFETs NFET 60V 115MA 7MO
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13+0.22 EUR
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6000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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2V7002KT1G 2V7002KT1G Hersteller : onsemi 2n7002k-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
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73+0.24 EUR
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2V7002KT1G 2V7002KT1G Hersteller : ONSEMI 2n7002k-d.pdf Description: ONSEMI - 2V7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 291680 Stücke:
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2V7002KT1G 2V7002KT1G Hersteller : ONSEMI 2n7002k-d.pdf Description: ONSEMI - 2V7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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2V7002KT1G 2V7002KT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
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