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3 kOhm 5% 3W выв. (MOR300SJTB-3KR-Hitano)

Produktcode: 183088

Hersteller: Hitano
Resistenz: 3 kOhm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%, ±250ppm
P Nenn.,W: 3 W
U Betriebs.,V: 500 V
Abmessungen: 15x5 мм; Dвив.=0,76 mm
Typ: метало-оксидні мініатюрні

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BZX55-C5V1
Produktcode: 26390

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Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 5,1
Istab.direkt,A: 0,078
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -0.8mV/K

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BDX54C (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 25170

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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 8

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1N4744A
Produktcode: 25622

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Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 15
Istab.direkt,A: 17mA
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.055 до 0.09 %/°C

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2N3904G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 29367

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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,2
h21: 300
ZCODE: THT

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FGH40N60SMD
Produktcode: 63296

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Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,1
Ic 25: 80
Ic 100: 40
Pd 25: 349
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 01.12.1992

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