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IRFZ44NPBF

IRFZ44NPBF

infineon-irfz44n-datasheet-en.pdf
Produktcode: 35403
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 49 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63
Montage: THT
verfügbar: 1498 St.
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IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies irlr3103pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies irlr3103pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies irlr3103pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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1000+0.81 EUR
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IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies irlr3103pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies irlr3103pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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150+1.13 EUR
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2000+0.65 EUR
5000+0.57 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
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IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies irlr3103pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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500+0.89 EUR
1000+0.79 EUR
2000+0.71 EUR
5000+0.63 EUR
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Mindestbestellmenge: 134 Stücke
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IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies infineon-irfz44n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.49 EUR
50+1.17 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.67 EUR
5000+0.61 EUR
10000+0.56 EUR
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IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies irlr3103pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.73 EUR
138+1.26 EUR
155+1.09 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies irlr3103pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1829 Stücke:
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65+2.73 EUR
138+1.24 EUR
155+1.06 EUR
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Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFZ44N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC
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2+3.19 EUR
10+1.54 EUR
100+1.34 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.95 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF INFINEON INFN-S-A0012838105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 41 A, 0.0175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.93 EUR
135+1.71 EUR
152+1.42 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
5000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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IRFZ44NPBF infineon-irfz44n-datasheet-en.pdf IRFZ44NPBF Транзисторы HEXFET
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IRFZ44NPBF infineon-irfz44n-datasheet-en.pdf IRFZ44NPBF Транзисторы HEXFET
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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2000+0.71 EUR
5000+0.63 EUR
10000+0.56 EUR
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IRFZ44NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
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IRFZ44NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ44NPBF
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MOSFETs MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC
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IRFZ44NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 41 A, 0.0175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
auf Bestellung 1240 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 St.:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106
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CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-1K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 1 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 4387 St.
  • 1164 St. - stock Köln
  • 3223 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 40000 St.
  • 40000 St. - erwartet 10.08.2026
AnzahlPrivatkunde
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100+0.0067 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE555P
Produktcode: 26138
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description na555.pdf?ts=1779184670697&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FNA555
NE555P
Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer; 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 2932 St.
  • 198 St. - stock Köln
  • 2734 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+0.6 EUR
10+0.29 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung 54858 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Lochrasterplatine 3x7 doppelseitig, grün
Produktcode: 144386
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Lochrasterplatine 3x7 doppelseitig, grün
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Abmessungen: 30x70 mm
Beschreibung: Lochrasterplatine doppelseitig mit durchkontaktierten Bohrungen, Raster: 2.54mm, Bohrungsdurchmesser: 1mm, 240 Lötbohrungen, 4 Befestigungsbohrungen
Typ: Lochrasterplatine zum Löten
Art: doppelseitig
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 4000 St.:
2000 St. - erwartet 30.09.2026
2000 St. - erwartet 15.07.2026
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