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IRFZ44NPBF

Name: IRFZ44NPBF
Brand: IR
SKU: 35403
Price: 0.32 EUR
Availability: InStock

irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d

Produktcode: 35403

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT

verfügbar 1267 Stück:

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IRFZ44NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irfz44n-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFZ44NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFZ44NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFZ44NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFZ44NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFZ44NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V

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50+	1.02 EUR
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2000+	0.62 EUR
5000+	0.60 EUR

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IRFZ44NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRFZ44N_DataSheet_v01_01_EN-3363173.pdf

MOSFETs MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC

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10+	2.29 EUR
25+	1.11 EUR
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500+	0.85 EUR
1000+	0.74 EUR

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IRFZ44NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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65+	2.21 EUR
126+	1.09 EUR
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250+	0.93 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.62 EUR
2000+	0.58 EUR
5000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 63

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IRFZ44NPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012838105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRFZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 41 A, 0.0175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IRFZ44NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFZ44NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFZ44NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFZ44NPBF

Hersteller : International Rectifier/Infineon

N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 49 А; Ptot, Вт = 94; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1470 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 17,5 мОм @ 25 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB

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IRFZ44NPBF

IRFZ44NPBF Транзисторы HEXFET

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IRFZ44NPBF

IRFZ44NPBF Транзисторы HEXFET

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IRFZ44NPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IRFZ44NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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1N4007
Produktcode: 176822

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Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V

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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094

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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT

auf Bestellung 5777 Stück:

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LM358N
Produktcode: 181180

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Hersteller: HGSEMI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: 3…32 V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 2 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
ZCODE: 2
Монтаж: THT

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NE555P IC Timer
Produktcode: 26138

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Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C

verfügbar: 2010 Stück

409 Stück - stock Köln
1601 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

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TL494CN
Produktcode: 36468

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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl494

Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-16
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 7...40V
I-ausg., A: 200 mA
Fosc, kHz: 300
Temperaturbereich: 0...+70°C

verfügbar: 246 Stück

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