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IRFZ44NPBF

IRFZ44NPBF

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Produktcode: 35403
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
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IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr3103pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44Npbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFZ44N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC
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IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz44n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
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IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr3103pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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10000+0.48 EUR
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IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 41 A, 0.0175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRFZ44NPBF infineon-irfz44n-datasheet-en.pdf IRFZ44NPBF Транзисторы HEXFET
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IRFZ44NPBF infineon-irfz44n-datasheet-en.pdf IRFZ44NPBF Транзисторы HEXFET
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IRFZ44NPBF Hersteller : Infineon infineon-irfz44n-datasheet-en.pdf MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF Hersteller : International Rectifier irfz44npbf.pdf MOSFET N-Ch, 55V, 49A, TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRFZ44NPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon IRFZ44NPBF.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 49 А, Ptot, Вт = 94, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1470 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 17,5 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB О
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
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1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106
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CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 6041 St.
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4877 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 40000 St.
40000 St. - erwartet 10.08.2026
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100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE555P IC Timer
Produktcode: 26138
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description
NE555P IC Timer
Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 3333 St.
208 St. - stock Köln
3125 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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10+0.24 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 82590 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1000 St.:
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Макетная плата 3x7 двухсторонняя, зеленая
Produktcode: 144386
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Макетная плата 3x7 двухсторонняя, зеленая
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 30x70мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 240 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2000 St.:
2000 St. - erwartet 15.07.2026
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