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IRF3205PBF

IRF3205PBF IR/Infineon

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Produktcode: 25094
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Hersteller: IR/Infineon
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
erwartet: 119 St.
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Technische Details IRF3205PBF IR/Infineon

1 oder 2 oder 5 Stück IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ TO220AB

Fortschrittliche Verfahrenstechnik

Ultra-Low-On-Widerstand

Dynamische dv / dt-Bewertung

175 ° C Betriebstemperatur

Schnelles Umschalten

Bleifrei

Hersteller            Infineon (International Rectifier)

Transistortyp      N-MOSFET

Polarisierung      unipolar    

Transistor-Art     HEXFET     

Drain-Source Spannung       55V  

Drainstrom         110A

Leistung     200W       

Gehäuse    TO220AB  

Gate-Source Spannung        20V  

Widerstand im Leitungszustand   8mΩ

Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse    1K/W        

Montage   THT  

Gewicht: 1.94 g

Produktcode 25094

 

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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auf Bestellung 28008 Stücke:
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494+1.36 EUR
549+1.2 EUR
1000+1.08 EUR
10000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
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IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1509 Stücke:
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IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1081 Stücke:
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51+3.52 EUR
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IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
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IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 32020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.95 EUR
85+2.74 EUR
111+1.94 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.48 EUR
5000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF3205PBF irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a IRF3205PBF Транзисторы
auf Bestellung 10 Stücke:
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IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 26000 Stücke:
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IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 26000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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549+1.2 EUR
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IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
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MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
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IRF3205PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 32020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+5.95 EUR
85+2.74 EUR
111+1.94 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.48 EUR
5000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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IRF3205PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7576 Stücke:
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IRF4905PBF
Produktcode: 22366
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IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 74 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3400/180
Montage: THT
auf Bestellung: 1360 St.
  • 1360 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung: 25770 St.
  • 25770 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+0.039 EUR
39+0.031 EUR
100+0.024 EUR
1000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 31 St.
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IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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infineon-irfz44n-datasheet-en.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 49 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63
Montage: THT
verfügbar: 25 St.
  • 25 St. - stock Köln
auf Bestellung: 970 St.
  • 970 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+0.7 EUR
10+0.63 EUR
100+0.52 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L7812CV
Produktcode: 29158
12 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description en.CD00000444.pdf
L7812CV
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Eingangsspannung Uin, V: 35 V
Ausgangsspannung Uout, V: 12 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1,5 A
Spannungsabfall Udrop, V: 2 V
Ausgangstyp: Fest
Temperaturbereich: 0...150°C
Montage: THT
auf Bestellung: 199 St.
  • 199 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+0.42 EUR
10+0.37 EUR
100+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 St.
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1N4148
Produktcode: 176824
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1n4148-datasheet_do35.pdf
1N4148
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Sperrspannung Vrr, V: 100 В
Mittlerer Strom Iav, A: 0,15 А
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 8 ns
Montage: THT
auf Bestellung: 10258 St.
  • 10258 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+0.058 EUR
50+0.024 EUR
100+0.015 EUR
1000+0.011 EUR
Mindestbestellmenge: 21 St.
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