IRF4905PBF
Produktcode: 22366
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
verfügbar 16 Stück:
12 Stück - stock Köln
4 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet 1500 Stück:
1500 Stück - erwartet 08.04.2024
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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IRF4905PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 8290 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 8290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 539 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 39650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 7756 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 7756 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC |
auf Bestellung 3531 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 50232 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4905PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 94226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 74 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 3400 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 20 мОм @ 38 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB |
auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Hersteller : Infineon | Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=150W; Rds=0,02 Ohm |
auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Hersteller : International Rectifier Corporation | TO-220AB, Vdss=-55V, Id=-74A, Rds(on)=20mOm, -55...+175 |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | IRF4905PBF Транзисторы HEXFET |
auf Bestellung 930 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFZ44NPBF Produktcode: 35403 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 1701 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.32 EUR |
10+ | 0.28 EUR |
100+ | 0.27 EUR |
10 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-10KR – Hitano) Produktcode: 169934 |
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 250 V
Typ: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Abmessungen: метало-плівкові
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 250 V
Typ: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Abmessungen: метало-плівкові
erwartet:
10000 Stück
1N4007 Produktcode: 176822 |
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 45251 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ Produktcode: 25094 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 13633 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.5 EUR |
10+ | 1.45 EUR |
100+ | 1 EUR |
BD140 Produktcode: 15292 |
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 2180 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.14 EUR |
10+ | 0.12 EUR |