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IRF4905PBF

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Produktcode: 22366
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
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IRF4905PBF IRF4905PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf4905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF4905PBF IRF4905PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf4905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF4905PBF IRF4905PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf4905.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
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Mindestbestellmenge: 29
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IRF4905PBF IRF4905PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf4905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF4905PBF IRF4905PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf4905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF4905PBF IRF4905PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf4905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF4905PBF IRF4905PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF4905_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
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IRF4905PBF IRF4905PBF Hersteller : Infineon Technologies irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e Description: MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRF4905PBF IRF4905PBF Hersteller : INFINEON IRSDS18781-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF4905PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRF4905PBF irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e IRF4905PBF Транзисторы HEXFET
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IRF4905PBF IRF4905PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf4905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF4905PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf4905pbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 74 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3400 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 38 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB О
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 1569 St.:
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
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BC817-40 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 17873
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BC817-40.pdf
BC817-40 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,5
h21: 600
ZCODE: SMD
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Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.026 EUR
1000+0.023 EUR
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10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Produktcode: 82544
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RC_series.pdf
10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10,0 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 281041 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-10K)
Produktcode: 13787
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CR-S_080911.pdf
10 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-10K)
Hersteller: Uni Ohm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: вугільно-плівкові
auf Bestellung 29276 St.:
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Mindestbestellmenge: 10
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