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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ

Name: IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Brand: IR
SKU: 25094
Price: 1.5 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 25094

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT

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Technische Details IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ IR

1 oder 2 oder 5 Stück IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ TO220AB

Fortschrittliche Verfahrenstechnik

Ultra-Low-On-Widerstand

Dynamische dv / dt-Bewertung

175 ° C Betriebstemperatur

Schnelles Umschalten

Bleifrei

Hersteller Infineon (International Rectifier)

Transistortyp N-MOSFET

Polarisierung unipolar

Transistor-Art HEXFET

Drain-Source Spannung 55V

Drainstrom 110A

Leistung 200W

Gehäuse TO220AB

Gate-Source Spannung 20V

Widerstand im Leitungszustand 8mΩ

Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse 1K/W

Montage THT

Gewicht: 1.94 g

Produktcode 25094

Weitere Produktangebote IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ nach Preis ab 0.54 EUR bis 8.5 EUR

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Beschreibung

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IRF3205PBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF3205PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF3205PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF3205PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF3205PBF

Hersteller : Infineon Technologies

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IRF3205PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF3205PBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 146nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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43+	1.69 EUR
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IRF3205PBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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132+	0.54 EUR

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IRF3205PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN-3362740.pdf

MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC

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5000+	0.95 EUR

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IRF3205PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V

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2000+	0.92 EUR
5000+	0.87 EUR

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IRF3205PBF

Hersteller : INFINEON

IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IRF3205PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF3205PBF

Hersteller : Infineon

Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm

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IRF3205PBF

IRF3205PBF Транзисторы

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IRF3205PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF3205PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Роб.темп.,°С: -20…+85°C

verfügbar: 201 Stück

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198 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

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Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT

verfügbar: 1165 Stück

25 Stück - stock Köln
1140 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

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10+	0.28 EUR
100+	0.27 EUR

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Produktcode: 22366

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irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e

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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT

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