IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ (IR) - Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld

IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ

IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ

Produktcode: 25094
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76

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Technische Details IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ

1 oder 2 oder 5 Stück IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ TO220AB

Fortschrittliche Verfahrenstechnik

Ultra-Low-On-Widerstand

Dynamische dv / dt-Bewertung

175 ° C Betriebstemperatur

Schnelles Umschalten

Bleifrei

Hersteller            Infineon (International Rectifier)

Transistortyp      N-MOSFET

Polarisierung      unipolar    

Transistor-Art     HEXFET     

Drain-Source Spannung       55V  

Drainstrom         110A

Leistung     200W       

Gehäuse    TO220AB  

Gate-Source Spannung        20V  

Widerstand im Leitungszustand   8mΩ

Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse    1K/W        

Montage   THT  

Gewicht: 1.94 g

Produktcode 25094

 

Preis IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ ab 0.69 EUR bis 5.83 EUR

IRF3205PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Material: IRF3205PBF THT N channel transistors
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42+ 1.72 EUR
47+ 1.54 EUR
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IRF3205PBF
Hersteller:
IRF3205 75 A, 55 V, N-CH, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a IRSDS11472-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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73+ 1.78 EUR
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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104+ 1.51 EUR
138+ 1.09 EUR
500+ 0.9 EUR
1000+ 0.69 EUR
IRF3205PBF
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N- ; Udss, = 200; Id = 110 ; Ptot, = 200; . = ; Ciss, @ Uds, = 3247 @ 25; Qg, = 146 @ 10 ; Rds = 8 @ 62 A, 10 ; T, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 @ 250 ; TO-220AB
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auf Bestellung 24 Stücke
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2+ 5.83 EUR
10+ 5.02 EUR
100+ 4.42 EUR
IRF3205PBF
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
37262 Stücke
IRF3205PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Material: IRF3205PBF THT N channel transistors
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IRF3205PBF
Hersteller: IR

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IRF3205PBF
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IRF3205 75 A, 55 V, N-CH, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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IRF3205PBF
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IRF3205 75 A, 55 V, N-CH, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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IRF3205PBF
Hersteller:
IRF3205PBF
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Hersteller:
IRF3205 75 A, 55 V, N-CH, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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IRF3205 75 A, 55 V, N-CH, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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IRF3205PBF
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IRF3205 75 A, 55 V, N-CH, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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IRF3205PBF
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IRF3205 75 A, 55 V, N-CH, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3205PBF
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon / IR
MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN-1732530.pdf
auf Bestellung 136002 Stücke
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IRF3205PBF
IRF3205PBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF3205 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
IRSDS11472-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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IRF3205PBF
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IRF3205 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
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IRF3205PBF
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
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NE555P IC Timer
Produktcode: 26138
техническая информация
NE555P IC Timer
Hersteller: TI
IC - IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
599 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.5 EUR
10+ 0.24 EUR
100+ 0.15 EUR
1000+ 0.12 EUR
Möglichen Substitutionen
LM555CN
Produktcode: 31264
Möglichen Substitutionen
NE555N
Produktcode: 4669
1N4007 Dioden Brücke
Produktcode: 1574
техническая информация 1N4001-1N4007.pdf
1N4007 Dioden Brücke
Hersteller: YJ/Microsemi
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
№ 7: 8541100090
3145 Stück - stock Köln
19290 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.35 EUR
10+ 0.1 EUR
100+ 0.05 EUR
1000+ 0.011 EUR
IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d IRSDS11283-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
30 Stück - stock Köln
414 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 8134 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
1+ 0.32 EUR
10+ 0.28 EUR
100+ 0.27 EUR
UF4007 Dioden superschnelle 75ns neu
Produktcode: 17804
техническая информация UF4001-4007.pdf
UF4007 Dioden superschnelle 75ns neu
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Vrr, V: 1000
Iav, A: 1
Trr, ns: 75
Austauschbar:: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
ZCODE: 8541 10 00 10
705 Stück - stock Köln
3741 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.5 EUR
10+ 0.45 EUR
100+ 0.2 EUR