30A01C-TB-E ON Semiconductor
auf Bestellung 279000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3912+ | 0.14 EUR |
| 10000+ | 0.12 EUR |
| 100000+ | 0.097 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 30A01C-TB-E ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 0.3A 3-CP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V, Frequency - Transition: 520MHz, Supplier Device Package: 3-CP, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 300 mW.
Weitere Produktangebote 30A01C-TB-E nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
30A01C-TB-E | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 30V 0.3A 300mW 3-Pin Case CP |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||
 |
30A01C-TB-E | Hersteller : Sanyo |
Description: TRANS PNP 30V 0.3A 3-CP Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 520MHz Supplier Device Package: 3-CP Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
auf Bestellung 288000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|