Produkte > ONSEMI > 30C02CH-TL-E
30C02CH-TL-E

30C02CH-TL-E ONSEMI


30c02ch-d.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.7A; 0.7W; SOT23,TO236AB
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 300...800
Collector current: 0.7A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 540MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 7375 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
380+0.19 EUR
545+0.13 EUR
605+0.12 EUR
760+0.09 EUR
805+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 380
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 30C02CH-TL-E ONSEMI

Description: TRANS NPN 30V 0.7A 3-CPH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 540MHz, Supplier Device Package: 3-CPH, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 700 mW.

Weitere Produktangebote 30C02CH-TL-E nach Preis ab 0.09 EUR bis 0.67 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
30C02CH-TL-E 30C02CH-TL-E Hersteller : ONSEMI 30c02ch-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.7A; 0.7W; SOT23,TO236AB
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 300...800
Collector current: 0.7A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 540MHz
auf Bestellung 7375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
380+0.19 EUR
545+0.13 EUR
605+0.12 EUR
760+0.09 EUR
805+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 380
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
30C02CH-TL-E 30C02CH-TL-E Hersteller : onsemi 30c02ch-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.7A 3-CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 540MHz
Supplier Device Package: 3-CPH
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+0.67 EUR
44+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
30C02CH-TL-E 30C02CH-TL-E Hersteller : ON Semiconductor 30C02CH-D-1801514.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 30V
auf Bestellung 7754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
30C02CH-TL-E Hersteller : ON Semiconductor 30c02ch-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.7A 700mW 3-Pin CPH T/R
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
30C02CH-TL-E 30C02CH-TL-E Hersteller : onsemi 30c02ch-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.7A 3-CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 540MHz
Supplier Device Package: 3-CPH
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 700 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH