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30C02CH-TL-E

30C02CH-TL-E onsemi

30c02ch-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.7A 3-CPH
Power - Max: 700 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: 3-CPH
Frequency - Transition: 540MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details 30C02CH-TL-E onsemi

Description: TRANS NPN 30V 0.7A 3-CPH, Power - Max: 700 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Supplier Device Package: 3-CPH, Frequency - Transition: 540MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
30C02CH-TL-E 30C02CH-TL-E ON Semiconductor 30C02CH-D-1801514.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 30V
auf Bestellung 7754 Stücke:
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30C02CH-TL-E ONSEMI 2907275.pdf Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Verlustleistung: 700
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 5399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.65 EUR
572+0.38 EUR
1021+0.21 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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30C02CH-TL-E ONSEMI 2907275.pdf Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
DC-Stromverstärkung hFE: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
Verlustleistung: 700
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 540
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 5399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+0.93 EUR
358+0.65 EUR
572+0.38 EUR
1021+0.21 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
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30C02CH-TL-E ON Semiconductor 30c02ch-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.7A 700mW 3-Pin CPH T/R
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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30C02CH-TL-E
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Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 700
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
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Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
DC-Stromverstärkung hFE: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
Verlustleistung: 700
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 540
Betriebstemperatur, max.: 150
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Trans GP BJT NPN 30V 0.7A 700mW 3-Pin CPH T/R
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