3LP01SS-TL-H. ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 3LP01SS-TL-H. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SC-81, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-81
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
Description: ONSEMI - 3LP01SS-TL-H. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SC-81, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4mV
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Bauform - Transistor: SC-81
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
auf Bestellung 6017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details 3LP01SS-TL-H. ONSEMI
Description: ONSEMI - 3LP01SS-TL-H. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SC-81, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-81, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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3LP01SS-TL-H. | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 3LP01SS-TL-H. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SC-81, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4mV euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-81 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm |
auf Bestellung 6017 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |