50C02MH-TL-E onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.5A 3-MCPH
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: 3-MCPH
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 600 mW
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Technische Details 50C02MH-TL-E onsemi
Description: ONSEMI - 50C02MH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 600 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 500MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote 50C02MH-TL-E nach Preis ab 0.18 EUR bis 1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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50C02MH-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 50C02MH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 600 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 500MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1112 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 50C02MH-TL-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.5A 50V |
auf Bestellung 1893 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 50C02MH-TL-E |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 50C02MH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 600 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 50C02MH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 600 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 600mW
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
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Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 251+ | 1 EUR |
| 316+ | 0.74 EUR |
| 521+ | 0.42 EUR |
| 585+ | 0.37 EUR |
| 50C02MH-TL-E |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.5A 50V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.5A 50V
auf Bestellung 1893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.74 EUR |
| 10+ | 0.61 EUR |
| 100+ | 0.4 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| 3000+ | 0.21 EUR |
| 9000+ | 0.18 EUR |