5N20A Goford Semiconductor

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Hersteller: Goford Semiconductor
Description: N200V,RD(MAX)<650M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

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Technische Details 5N20A Goford Semiconductor

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	5N20A	Hersteller : GOFORD Semiconductor	Fast Switching MOSFET	auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 2500+ 0.29 EUR 15000+  0.26 EUR Mindestbestellmenge: 2500 kaufen
	5N20A	Hersteller : Goford Semiconductor	Description: N200V,RD(MAX)<650M@10V,VTH1V~3V, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 25 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen