630A Goford Semiconductor

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Hersteller: Goford Semiconductor
Description: N200V,RD(MAX)<280M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V

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Technische Details 630A Goford Semiconductor

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	630A	GOFORD Semiconductor	Trans MOSFET N-CH Si 200V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252	auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	2500+ 0.45 EUR 15000+ 0.43 EUR 30000+ 0.39 EUR Mindestbestellmenge: 2500 Stücke kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	630A	GOFORD Semiconductor	N-CH 200V 9A 0.28OhmMAX at 10V TO-252	auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	2500+ 0.45 EUR 15000+ 0.43 EUR Mindestbestellmenge: 2500 Stücke kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

630A

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N-CH 200V 9A 0.28OhmMAX at 10V TO-252

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