6A10G
6A10-G
Hersteller: Comchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 1KV 6A R6
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: R-6
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: R-6, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
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Technische Details 6A10-G
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R6, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C, Supplier Device Package: R-6, Current - Average Rectified (Io): 6A, Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Diode Type: Standard, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: R-6, Axial, Packaging: Tape & Box (TB), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V.
Preis 6A10-G ab 0.48 EUR bis 1.46 EUR
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Hersteller: Comchip Technology Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R6 Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Supplier Device Package: R-6 Current - Average Rectified (Io): 6A Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Diode Type: Standard Mounting Type: Through Hole Package / Case: R-6, Axial Packaging: Cut Tape (CT)
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 Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 6A10G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassspannung Vf max.: 1.1 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: - Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 6 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 6A10 Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 250 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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6A10G Hersteller: Good-Ark Rectifier Diode 1KV 6A 2-Pin Case P-600
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6A10-G Hersteller: Comchip Technology Rectifier Diode 1KV 6A 2-Pin Ammo
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6A10G Hersteller: Good-Ark Rectifier Diode 1KV 6A 2-Pin Case P-600
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6A10-G Hersteller: Comchip Technology Rectifier Diode 1KV 6A 2-Pin Ammo
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 Hersteller: Taiwan Semiconductor Rectifiers 6.0 Amp 100 Volt 250 Amp IFSM
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 Hersteller: Comchip Technology Rectifiers VR=1000 IO=6.0A
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auf Bestellung 1252 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Comchip Technology Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R6 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Supplier Device Package: R-6 Package / Case: R6, Axial Mounting Type: Through Hole Diode Type: Standard Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1000V Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 6A Current - Average Rectified (Io): 6A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
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