6A10G

6A10-G

6A10-G

Hersteller: Comchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R6
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: R-6
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: R-6, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V

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Technische Details 6A10-G

Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R6, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C, Supplier Device Package: R-6, Current - Average Rectified (Io): 6A, Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Diode Type: Standard, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: R-6, Axial, Packaging: Tape & Box (TB), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V.

Preis 6A10-G ab 0.48 EUR bis 1.46 EUR

6A10-G
6A10-G
Hersteller: Comchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: R-6
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: R-6, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
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6A10G
6A10G
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 6A10G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 6
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 6A10
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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6A10G
Hersteller: Good-Ark
Rectifier Diode 1KV 6A 2-Pin Case P-600
6A05G%20SERIES_F2104.pdf
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6A10-G
Hersteller: Comchip Technology
Rectifier Diode 1KV 6A 2-Pin Ammo
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Hersteller: Good-Ark
Rectifier Diode 1KV 6A 2-Pin Case P-600
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Hersteller: Comchip Technology
Rectifier Diode 1KV 6A 2-Pin Ammo
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6A10G
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 6.0 Amp 100 Volt 250 Amp IFSM
6A05G%20SERIES_E14-560287.pdf
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6A10-G
Hersteller: Comchip Technology
Rectifiers VR=1000 IO=6.0A
6A005-G_Thru._6A10-G_RevB-1480708.pdf
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6A10-G
Hersteller: Comchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: R-6
Package / Case: R6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Standard
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1000V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 6A
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V (1kV)
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