70V657S10BFG Renesas Electronics
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 265.37 EUR |
| 7+ | 242.28 EUR |
| 28+ | 231.12 EUR |
| 56+ | 218.56 EUR |
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Technische Details 70V657S10BFG Renesas Electronics
Description: IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 208-LFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 1.125Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 3.15V ~ 3.45V, Technology: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 208-CABGA (15x15), Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 32K x 36, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote 70V657S10BFG nach Preis ab 244.04 EUR bis 268.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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70V657S10BFG | Hersteller : Renesas Electronics Corporation |
 Description: IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGAPackaging: Tray Package / Case: 208-LFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1.125Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3.15V ~ 3.45V Technology: SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 208-CABGA (15x15) Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 32K x 36 DigiKey Programmable: Not Verified |
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