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7164L20YG

7164L20YG Renesas Electronics

REN_7164SL_DST_20200730-1995949.pdf
Hersteller: Renesas Electronics
SRAM 64K(8KX8) BICMOS STAT RAM
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Technische Details 7164L20YG Renesas Electronics

Description: IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ, Packaging: Bulk, Package / Case: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 64Kbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 28-SOJ, Write Cycle Time - Word, Page: 20ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 20 ns, Memory Organization: 8K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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7164L20YG 7164L20YG IDT, Integrated Device Technology Inc IDTI-S-A0004855846-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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7164L20YG IDT 7164sl-data-sheet SRAM 64K(8KX8) BICMOS STAT RAM
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7164L20YG
Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Description: IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
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Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Volatile
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Technology: SRAM - Asynchronous
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Hersteller: IDT
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