71V424S12PHGI Renesas Electronics Corporation
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 20.47 EUR |
| 10+ | 18.17 EUR |
| 25+ | 17.33 EUR |
| 40+ | 16.91 EUR |
| 135+ | 15.87 EUR |
| 270+ | 15.32 EUR |
| 540+ | 14.77 EUR |
| 945+ | 14.35 EUR |
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Technische Details 71V424S12PHGI Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - 71V424S12PHGI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V, tariffCode: 85423290, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 8bit, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 12ns, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Speichergröße: 4Mbit, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote 71V424S12PHGI nach Preis ab 16.06 EUR bis 22.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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71V424S12PHGI | Renesas Electronics |
SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM |
auf Bestellung 241 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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71V424S12PHGI | RENESAS |
Description: RENESAS - 71V424S12PHGI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V tariffCode: 85423290 Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 8bit IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 12ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 106 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 71V424S12PHGI |
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Hersteller: Renesas Electronics
SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 21.52 EUR |
| 10+ | 19.98 EUR |
| 25+ | 19.37 EUR |
| 50+ | 18.9 EUR |
| 100+ | 18.3 EUR |
| 270+ | 17.33 EUR |
| 540+ | 16.9 EUR |
| 71V424S12PHGI |
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Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - 71V424S12PHGI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 8bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 12ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: RENESAS - 71V424S12PHGI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 8bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 12ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 22.9 EUR |
| 12+ | 19.68 EUR |
| 25+ | 17.75 EUR |
| 50+ | 17.7 EUR |
| 100+ | 16.06 EUR |