APT10035LFLLG Microchip / Microsemi
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Technische Details APT10035LFLLG Microchip / Microsemi
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264, Case: TO264, Mounting: THT, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 112A, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 28A, On-state resistance: 370mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 690W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 186nC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT10035LFLLG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT10035LFLLG | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 28A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT10035LFLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 112A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 28A On-state resistance: 370mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 690W Polarisation: unipolar Gate charge: 186nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT10035LFLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 112A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 28A On-state resistance: 370mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 690W Polarisation: unipolar Gate charge: 186nC |
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