APT10035LLLG Microchip Technology
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Technische Details APT10035LLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264, Case: TO264, Mounting: THT, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 112A, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 28A, On-state resistance: 0.35Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 690W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 186nC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT10035LLLG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| APT10035LLLG | Hersteller : Microchip / Microsemi |
 MOSFET FG, MOSFET,1000V, TO-264, RoHS |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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APT10035LLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 112A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 28A On-state resistance: 0.35Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 690W Polarisation: unipolar Gate charge: 186nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT10035LLLG | Hersteller : MICROSEMI |
TO264/POWER MOSFET - MOS7 APT10035 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT10035LLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 112A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 28A On-state resistance: 0.35Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 690W Polarisation: unipolar Gate charge: 186nC |
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