APT10035LLLG Microchip Technology
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Technische Details APT10035LLLG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 28A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 690W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-264 [L], Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5185 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote APT10035LLLG nach Preis ab 46.92 EUR bis 54.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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| APT10035LLLG | Hersteller : Microchip Technology |
 MOSFETs MOSFET MOS7 1000 V 35 Ohm TO-264 |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT10035LLLG | Hersteller : Microchip / Microsemi |
MOSFET FG, MOSFET,1000V, TO-264, RoHS |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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APT10035LLLG | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 1KV 28A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT10035LLLG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT10035LLLG THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT10035LLLG | Hersteller : MICROSEMI |
TO264/POWER MOSFET - MOS7 APT10035 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT10035LLLG | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1000V 28A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 690W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-264 [L] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5185 pF @ 25 V |
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