APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Hersteller: Microsemi
Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC
APT10DC120HJ-Rev1-1291260.pdf
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen

Technische Details APT10DC120HJ

Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 10A SOT227, Technology: Silicon Carbide Schottky, Diode Type: Single Phase, Part Status: Active, Packaging: Bulk, Supplier Device Package: SOT-227, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Current - Reverse Leakage @ Vr: 200µA @ 1200V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A, Current - Average Rectified (Io): 10A, Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2kV.

Preis APT10DC120HJ ab 0 EUR bis 0 EUR

APT10DC120HJ
APT10DC120HJ
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 10A SOT227
Technology: Silicon Carbide Schottky
Diode Type: Single Phase
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: SOT-227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200µA @ 1200V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2kV
index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=6587
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen