APT10DC120HJ
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Technische Details APT10DC120HJ
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 10A SOT227, Technology: Silicon Carbide Schottky, Diode Type: Single Phase, Part Status: Active, Packaging: Bulk, Supplier Device Package: SOT-227, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Current - Reverse Leakage @ Vr: 200µA @ 1200V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A, Current - Average Rectified (Io): 10A, Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2kV.
Preis APT10DC120HJ ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Microsemi Corporation Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 10A SOT227 Technology: Silicon Carbide Schottky Diode Type: Single Phase Part Status: Active Packaging: Bulk Supplier Device Package: SOT-227 Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Current - Reverse Leakage @ Vr: 200µA @ 1200V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A Current - Average Rectified (Io): 10A Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2kV 
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