APT25GT120BRDQ2G Microchip Technology
Hersteller: Microchip TechnologyDescription: IGBT 1200V 54A 347W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/150ns
Switching Energy: 930µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 800V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 347 W
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Technische Details APT25GT120BRDQ2G Microchip Technology
Description: IGBT 1200V 54A 347W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 14ns/150ns, Switching Energy: 930µJ (on), 720µJ (off), Test Condition: 800V, 25A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 170 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 54 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 347 W.
Weitere Produktangebote APT25GT120BRDQ2G nach Preis ab 16.8 EUR bis 19.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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APT25GT120BRDQ2G | Hersteller : Microchip Technology |
IGBT Transistors IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 25 A TO-247 |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 280-294 Tag (e) |
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APT25GT120BRDQ2G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 347W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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APT25GT120BRDQ2G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 347W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT25GT120BRDQ2G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 347W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: Thunderblot IGBT® Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 347W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Turn-on time: 41ns Turn-off time: 0.22µs Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APT25GT120BRDQ2G | Hersteller : MICROSEMI |
TO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY COMBI APT25GT120 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT25GT120BRDQ2G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 347W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: Thunderblot IGBT® Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 347W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Turn-on time: 41ns Turn-off time: 0.22µs |
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