APT25GT120BRDQ2G Microchip Technology
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details APT25GT120BRDQ2G Microchip Technology
Description: IGBT NPT 1200V 54A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 14ns/150ns, Switching Energy: 930µJ (on), 720µJ (off), Test Condition: 800V, 25A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 170 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 54 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 347 W.
Weitere Produktangebote APT25GT120BRDQ2G nach Preis ab 11.64 EUR bis 17.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT25GT120BRDQ2G | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: IGBT NPT 1200V 54A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 14ns/150ns Switching Energy: 930µJ (on), 720µJ (off) Test Condition: 800V, 25A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Current - Collector (Ic) (Max): 54 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 347 W |
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APT25GT120BRDQ2G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 347W; TO247-3 Case: TO247-3 Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Mounting: THT Technology: Thunderblot IGBT® Turn-on time: 41ns Gate charge: 170nC Turn-off time: 0.22µs Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 25A Pulsed collector current: 75A Power dissipation: 347W Collector-emitter voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT25GT120BRDQ2G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 347W; TO247-3 Case: TO247-3 Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Mounting: THT Technology: Thunderblot IGBT® Turn-on time: 41ns Gate charge: 170nC Turn-off time: 0.22µs Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 25A Pulsed collector current: 75A Power dissipation: 347W Collector-emitter voltage: 1.2kV |
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APT25GT120BRDQ2G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 347W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT25GT120BRDQ2G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 347W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT25GT120BRDQ2G | Hersteller : MICROSEMI |
TO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY COMBI APT25GT120 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |