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APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G Microchip Technology

6791-apt25gt120brdq2g-datasheet Hersteller: Microchip Technology
Description: IGBT NPT 1200V 54A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/150ns
Switching Energy: 930µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 800V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 347 W
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Technische Details APT25GT120BRDQ2G Microchip Technology

Description: IGBT NPT 1200V 54A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 14ns/150ns, Switching Energy: 930µJ (on), 720µJ (off), Test Condition: 800V, 25A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 170 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 54 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 347 W.

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APT25GT120BRDQ2G APT25GT120BRDQ2G Hersteller : Microchip Technology APT100GT120JR_B-3444523.pdf IGBTs IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 25 A TO-247
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APT25GT120BRDQ2G APT25GT120BRDQ2G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY APT25GT120BRDQ2G.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 347W; TO247-3
Collector current: 25A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Technology: Thunderblot IGBT®
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 41ns
Turn-off time: 0.22µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 347W
Kind of package: tube
Gate charge: 170nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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4+19.38 EUR
6+12.60 EUR
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APT25GT120BRDQ2G APT25GT120BRDQ2G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY APT25GT120BRDQ2G.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 347W; TO247-3
Collector current: 25A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Technology: Thunderblot IGBT®
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 41ns
Turn-off time: 0.22µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 347W
Kind of package: tube
Gate charge: 170nC
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.38 EUR
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APT25GT120BRDQ2G APT25GT120BRDQ2G Hersteller : Microchip Technology 14146791-apt25gt120brdq2-g-c-pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 347W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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APT25GT120BRDQ2G APT25GT120BRDQ2G Hersteller : Microchip Technology 14146791-apt25gt120brdq2-g-c-pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 347W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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APT25GT120BRDQ2G Hersteller : MICROSEMI 6791-apt25gt120brdq2g-datasheet TO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY COMBI APT25GT120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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