APT33N90JCCU3
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
Technische Details APT33N90JCCU3
Description: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227, Packaging: Bulk, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 100V, FET Feature: Super Junction, Power Dissipation (Max): 290W (Tc), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Chassis Mount, Supplier Device Package: SOT-227, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Manufacturer: Microsemi Corporation.
Preis APT33N90JCCU3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 100V FET Feature: Super Junction Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Supplier Device Package: SOT-227 Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Manufacturer: Microsemi Corporation |
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|