APT33N90JCCU3

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Technische Details APT33N90JCCU3
Description: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227, Packaging: Bulk, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 100V, FET Feature: Super Junction, Power Dissipation (Max): 290W (Tc), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Chassis Mount, Supplier Device Package: SOT-227, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Manufacturer: Microsemi Corporation.
Preis APT33N90JCCU3 ab 0 EUR bis 0 EUR
APT33N90JCCU3 Hersteller: Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 100V FET Feature: Super Junction Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Supplier Device Package: SOT-227 Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Manufacturer: Microsemi Corporation |
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