APT40DC120HJ
APT40DC120HJ
Hersteller: MICROSEMIISOTOP-4/40 A, 1200 V, SILICON CARBIDE, BRIDGE RECTIFIER DIODE APT40DC120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Technische Details APT40DC120HJ
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 40A SOT227, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Diode Type: Single Phase, Technology: Silicon Carbide Schottky, Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2kV, Current - Average Rectified (Io): 40A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 40A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 800µA @ 1200V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Supplier Device Package: SOT-227.
Preis APT40DC120HJ ab 0 EUR bis 0 EUR
APT40DC120HJ Hersteller: Microsemi Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC ![]() |
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APT40DC120HJ Hersteller: Microsemi Corporation Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 40A SOT227 Packaging: Bulk Part Status: Active Diode Type: Single Phase Technology: Silicon Carbide Schottky Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2kV Current - Average Rectified (Io): 40A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 40A Current - Reverse Leakage @ Vr: 800µA @ 1200V Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Supplier Device Package: SOT-227 ![]() |
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